在新材料和半導(dǎo)體制程不斷升級(jí)，并應(yīng)用中嚴(yán)酷的環(huán)境中，對(duì)材料的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的要求也越來(lái)越高，在早期電子產(chǎn)品測(cè)試500G以內(nèi)，到目前的千G，以至于萬(wàn)G以上，業(yè)內(nèi)目前對(duì)大G值的沖擊驗(yàn)證多限于氣動(dòng)或簡(jiǎn)易二沖平臺(tái)作用力下實(shí)現(xiàn)。

在設(shè)備廠家大力支持與配合下，本實(shí)驗(yàn)室在約半年多時(shí)間，成功完成高加速?zèng)_擊設(shè)備試運(yùn)行工作，并在8月份國(guó)家實(shí)驗(yàn)室組織的沖擊能力驗(yàn)證中，以超高分達(dá)到要求。

設(shè)備規(guī)格：

 1. 一沖平臺(tái)

    - 平臺(tái)尺寸：250mm x 250mm

    - 波形：半正弦、方波

     - 最大加速度： 10,000g

     - 時(shí)域：0.1ms ~ 60ms

2. 二沖平臺(tái)

     - 平臺(tái)尺寸：120mm x 150mm

     - 波形：半正弦

     - 最大加速度：30,000g